博鱼app晶合集成申请半导体结构及其制作方法专利提高半导体结构的性能

　　博鱼app专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体结构包括：衬底博鱼app博鱼app，包括并列设置的第一区域和第二区域；垫氮化层，设置在所述衬底上；补偿氮化层博鱼app，设置在所述垫氮化层上；第一浅沟槽，设置在所述第一区域内；第二浅沟槽，与所述第一浅沟槽并列设置在所述第二区域内；绝缘介质博鱼app博鱼app，设置在所述第一浅沟槽和所述第二浅沟槽内，所述绝缘介质的表面与所述补偿氮化层的表面齐平。通过本发明提供的一种半导体结构及其制作方法，提高半导体结构的性能。