博鱼app专利摘要显示,提供了半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括:鳍状有源区域;器件隔离层,覆盖位于基底上的鳍状有源区域的两个侧壁;栅极结构;纳米片结构博鱼app,包括多个纳米片;以及源极/漏极区域博鱼app,设置在鳍状有源区域上并且与栅极结构相邻,其中博鱼app,源极/漏极区域中的每个源极/漏极区域包括顺序堆叠的缓冲层、内部杂质层和中心杂质层,其中博鱼app,缓冲层填充两个竖直相邻的纳米片之间的第一凹进和鳍状有源区域的顶表面与纳米片之间的第二凹进博鱼app,并且其中,所述多个纳米片接触内部杂质层的侧表面。
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